快科技5月26日新闻，据报路，美光科技官方发出预警，受人为智能领域对HBM、DRAM及NAND产品需要激增影响，全球内存市场供给严重局面将持续至2026年之后。

摩根大通颁布投资汇报称，美光科技治理层在第54届全球科技、媒体与通讯年度大会上明确，当前HBM、NAND及DRAM芯片产能受限，难以满足人为智能模型机能提升的需要。

内存市场供需失衡加剧的直接原因蕴含代际更迭机能提升放缓、新型HBM芯片裸片尺寸增大，以及DRAM造作工艺中EUV光刻技术利用的复杂性提高。

1γ工艺节点被规划为美光汗青上晶圆产量最高的DRAM节点，目前正加快将EUV光刻技术整合至该节点造作流程。

在HBM产品线上，美光科技的HBM4产能提升速度达到HBM3的两倍。下一代HBM4E内存打算于2027年量产，首批样品将搭载基于1γ工艺的DRAM？。

美光科技在固态硬盘市场同样通过提供定造化产品提升份额。目前其已与客户发展深度合作，针对人为智能高低文窗口扩容及推理负载增上进行产品优化，以代替现成的通用型存储规划。